بلورهای فوتونی (فوتونیک کریستال) ساختارهایی هستند که ضریب شکست آنها در یک، دو و یا سه بعد بطور متناوب با دوره تناوبی در حدود طول موج نور تغییرمیکند. این تناوب در ضریب شکست باعث بوجود آمدن شکاف یا گاف نوار فوتونی PBG درنمودار نوار میشود که ویژگی بارز بلورهای فوتونی است. آنچه مسئله را جالبتر میکند تغییر نوار توقف فوتونی و ایجاد حالت های مجاز در آن با وارد کردن نقص در ساختاراست که پایه کاربردهای فراوانی است . از مودهای لبهای منتج از این نوارها که دارای اثرات سرعت گروه پایین هستند برای تغییر در بهره لیزری و بهره جذب لایه فعال استفاده میشود. تحقیقات زیادی در مورد مشخصات ساختارهای بلورفوتونی با PBG که منجر به لیزرهایی با توان آستانه پایین میشوند، در مراجع مختلف گزارش شده است.
مراجع :
-E. Yablonovitch (1987), "Inhibited Spontaneous Emission in Solid-State Physics and Electronics",hysical Review